Powermaster Semiconductor

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28
2025.03

Invitation Power Master Semiconductor booth at Electronica China 2025
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21
2025.01

“챗GPT4.0 무료”... 신종 랜섬웨어 등장
3줄 요약1. ‘Chatgpt 4.0 무료 사용할 수 있다’며 사용자 현혹...유포·감염2. 럭키고스트, 암호화전 초기 작업·비활성화된 기능 목록·파일 암호화 단계 공격3. 신뢰할 수 없는 외부 출처 다운로드 파일 실행 자제, 중요 데이터 백업 등 해야보안뉴스 김경애 기자] 신종 랜섬웨어 ‘럭키고스트’(luckyghost)가 등장했다. 럭키고스트는 ‘Chatgpt 4.0을 무료로 사용할 수 있다’며사용자를 현혹, 유포되고 있다. 신종 랜섬웨어에 감염되지 않도록 이용자들의 각별한 주의가 필요하다. [Read more ...]
02
2025.01

파워마스터반도체, 상단 냉각 차량용 SiC 전력반도체 출시
파워마스터반도체가 냉각 효율을 높인 패키지 형태의 탄화규소(SiC) 전력반도체를 출시했다.파워마스터반도체는 2세대 1200V SiC 모스펫(MOSFET) 전력반도체 제품군으로 상단 냉각 방식의 '탑 사이드 패키지(TSPAK)' 2종을 추가 출시한다고 1일 밝혔다.기존 표면실장형(SMD) 전력반도체는 인쇄회로기판(PCB)를 통해 열을 방출하는데, TSPAK은 상부 방열판을 통해 더 효율적으로 열을 식힐 수 있다. 고성능 전력반도체가 필요한 전기차에 적합한 패키지 방식이다.파워마스터반도체는 TSPAK를 LF(Lead Frame), DBC(Direct Bonded Copper) 두 가지 형태로 내놨다. 두 제품의 최대 접합 온도(Tj)는 175℃다.TSPAK-LF는 절연 레이어가 없어 시스템에서 요구하는 절연내압을 확보하려면 갭 패드, 갭 필러와 같은 절연물질을 필요하다. 반면에 TSPAK-DBC는 절연 세라믹 층이 포함돼 있어 높은 절연 내력과 안전성을 제공하므로 방열효율이 높고 경제적 [Read more ...]
02
2024.12

[신제품 출시정보] PMS Press Release Unveils Innovative Top-Side Cooling Packages for automotive and industrial applications
New Product Release InformationPower Master Semiconductor Unveils Innovative Top-Side Cooling Packages for automotive and industrial applicationsNovember 29 2024 - Cheongju, Korea – Power Master Semiconductor has announced the expansion of its e SiC MOSFET family with introduction of new AEC-Q101 qualified, high-performance top-side cooling packages. These include the TSPAK DBC version and LF version, specially designed for automotive and industrial applications. The TSPAK offers [Read more ...]
22
2024.08

[신제품 출시정보] PMS Press Release TOLL Package 650V eSiC MOSFET P08Y24
New Product Release InformationPower Master Semiconductor added TOLL Package to 650V eSiC MOS Portfolio, offering Enhanced High Power Density, Efficiency and Reliability with Improved thermal performance in Compact footprintPower Master Semiconductor has released a new package portfolio, TO leadless (TOLL) package for 650V eSiC MOSFET series to meet the increasing demands for high power density and efficiency with superior switching performance in various applications such as AI data cente [Read more ...]
21
2024.08

[News] 파워마스터반도체, 1200V 車 SiC 전력반도체 출시
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01
2024.08

[News] Power Master Semiconductor Introduces Automotive Qualified 1200 V SiC MOSFET for Electric Vehicles
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31
2024.07

[News] Power Master Semiconductor Released AEC-Q101 Qualified 1200V eSiC MOSFET
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31
2024.07

[News] Power Master Semiconductor announces 650V eSiC MOSFET designed to offer higher efficiency
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26
2024.07

[신제품 출시정보] 파워마스터 반도체, 차량용 1200V e SiC MOSFET 출시
파워마스터 반도체, 차량용 1200V e SiC MOSFET 출시2024년 7월 26일, 청주 – 파워마스터 반도체는 차량용 전력 변환 시스템을 위한 전장용 인증(AEC-Q101)를 받은 D2PAK-7L 패키지를 적용한 1200V e SiC MOSFET을 출시했다고 밝혔다. 이 제품은 높은 효율, 전력 밀 도, 뛰어난 신뢰성을 제공하고, 양방향 작동을 지원하며, 온보드 차저(OBC), DC-DC 컨버터, 전동 압축기(e- compressor) 등의 차량용 애플리케이션에 적합하다.자동차 산업은 지속 가능하고, 친환경적인 운송 솔루션에 대한 수요 증가로 빠르게 전기화로 진화되고 있다. 이로 인해 전기차 애플리케이션의 엄격한 요구 사항을 만족할 수 있는 고성능 전력 변환 장치의 수요가 급증 하고 있다. 차량용 1200V e SiC MOSFET는 800V 배터리 시스템에서, 전기차 배터리 수명, 충전효율 및 항속& [Read more ...]
22
2024.07

Power Master Semiconductor highlights a broad SiC portfolio at electronica China 2024
Power Master Semiconductor demonstrated its mass-produced semiconductor products, include an expanded SiC portgolio of new 1200V Gen2 eSiC MOSFETs and 650V eSiC MOSFETs. Power Master Semiconductor highlighted new top-side cooling SMD packages, TSPAK LF / TSPAK DBC and PIMs at the electronica China 2024. These products have been supplied and can meet the needs of different customers in various applications. Power Master Semiconductor demonstrated PMS’s 600V and 1200V eSiC MOSFET-based 3.7kW & [Read more ...]
22
2024.07

[신제품 출시정보] 파워마스터 반도체, 높은 효율과 전력밀도를 위한 고성능 650V eSiC 모스펫 출시
파워마스터 반도체, 높은 효율과 전력밀도를 위한 고성능 650V eSiC 모스펫 출시2024년 7월 17일, 청주 – 파워마스터 반도체는 서버/통신용 전원공급장치(PSU), 전기차 온보드 충전기 (OBC), 에너지 저장 시스템 (ESS), 급속 EV 충전시스템 (EVC) 및 다양한 고전력의 산업용 애플리케이션에 최적화된 650V e SiC MOSFET을 출시했다고 밝혔다. 이 제품은 탄화규소(SiC) 소재의 우수한 특성을 이용해 시스템의 효율과 전력밀도를 향상시킬 수 있다고, 회사는 설명했다. 이번에 출시된 650V, 45mΩ TO-247-4L 제 품은 높은 셀 밀도와 강건성이 높은 MOSFET 구조를 적용해, 업계 최고의 스위칭 특성과 애벌런치 내량을 확 보하여, 높은 효율과 신뢰성을 제공한다. 올 상반기에는 650 [Read more ...]
06
2024.07

[신제품 출시정보] 고효율 에플리케이션을 위한 2세대 1200V e SiC MOSFET 출시
파워마스터 반도체, 고효율 에플리케이션을 위한 2세대 1200V e SiC MOSFET 출시2024년 7월 5일, 청주 – 파워마스터 반도체는 △급속 EV 충전시스템 (EVC), △태양광 인버터, △에너지 저장 시스템 (ESS), △모터 드라이브 시스템과 같은 다양한 고효율의 산업용 애플리케이션을 위한 2세대 1200V e SiC MOSFET을 출시했다고 밝혔다. 2세대 1200V e SiC MOSFET은 파워마스터 반도체의 최적화된 디자인을 통해 이전 세대 대비 신뢰성은 그대로 유지하고, 게이트 전하량, 역회복 전하, 출력 커패시터의 전하와 저장에너지 등 MOSFET의 주요 성능을 약 30% 개선했다. 이번에 출시한 차세대 1200V 제품은 훨씬 낮은 전력 손실로, 더 높은 효율과 전력 밀도를 필요로 하는 고성능 시스템에 적합하다. 특히, 1200V e SiC MOSFET은 1세대와 비교, 낮은 온 [Read more ...]
04
2024.07

Invitation PMS booth @ Electronica China 2024
Dear Customer We hope this message finds you well We are excited to announce that Power Master Semiconductor will be participating in the Electronica China 2024, which will be held at the Shanghai New International Expo Centre from July 8th to 10th, 2024. We warmly invite you to visit booth (E3. 3720) to explore our latest technologies and discuss potential business opportunities. We look forward to meeting you in person and exchanging ideas at our exhibition booth. [Read more ...]
04
2024.07

[Technical Articles] Pushing the limits with SiC and Super-Junction power technologies
Established in 2018, Power Master Semiconductor (PMS) is a South Korean company with a team boasting over two decades of experience in the power semiconductor industry. The company is focused on developing and producing advanced Silicon Carbide (SiC) diodes and MOSFETs, alongside Super-Junction (SJ) MOSFETs, particularly their innovative eMOS E7 line.기사 원문보기 [Read more ...]

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